低粉體填充量下，硅膠墊片如何實現(xiàn)12~14W/(m·K)?

在低粉體填充量的情況下，如何有效提升硅膠墊片的導(dǎo)熱率至12~14W/(m·K)是一個挑戰(zhàn)。通常，導(dǎo)熱材料制造商需添加大量導(dǎo)熱粉體才能達(dá)到這一導(dǎo)熱率，但這往往會犧牲墊片的力學(xué)性、加工性和絕緣性等關(guān)鍵性能。因此，探索如何在較低粉體填充量下實現(xiàn)高導(dǎo)熱率顯得尤為重要。

解決這一問題的關(guān)鍵是使用高性能導(dǎo)熱填料。例如，采用金戈新材的GD-S12V1導(dǎo)熱劑來構(gòu)建高效的導(dǎo)熱通路。以下是由GD-S12V1導(dǎo)熱劑與競品導(dǎo)熱粉體制備的硅膠墊片性能數(shù)據(jù)（供參考）：

從上表看出，當(dāng)GD-S12V1導(dǎo)熱粉體在硅油中的填充量為96.0%時，即可實現(xiàn)13.0W/(m·K)以上的導(dǎo)熱率。相比之下，競品要達(dá)到相同的導(dǎo)熱系數(shù)，其填充量需要超過97.14%。

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